폴리실리콘 채널을 활용한 VNAND 플래시 메모리를 통해 NAND 플래시 메모리 소자 집적도에 대한 물리적 한계를 극복하고, 메모리 용량을 기하급수적으로 늘릴 수 있었다. 하지만, VNAND 미세화 및 수직 집적 기술이 발전할 수록 폴리실리콘의 결정립 경계 결함 때문에 구동전류 저하를 비롯한 여러 문제가 발생했으며 이를 수소를 활용한 Forming gas annealing (FGA)를 통해 극복하고자 했으나 부족한 전기적, 열적 안정성 때문에 한계가 분명했다. 이에 수소 대신 강한 Si-F 결합이 가능한 플루오린을 이용하여 폴리실리콘의 결정립 경계 결함을 패시베이션 할 수 있는 기술을 개시제를 이용한 화학 기상 증착 (iCVD) 공정을 기반으로 제시하고자 한다. 폴리실리콘 트랜지스터 상부에 증착된 불소 분율이 높은 iCVD 기반 고분자 초박막에 열을 가하면 다량의 불소가 채널의 전 영역, 그리고 채널/터널링 절연층 계면까지 도입되었으며, 결정립 경계 결함과 계면 트랩을 효과적으로 패시베이션한다. 이를 통해 FGA 기반 소자보다 이동도를 포함한 트랜지스터 특성을 크게 향상시킬 뿐만 아니라 더 빠른 programming/erasing 동작과 향상된 내구성을 달성하였다.