본 연구에서는 콜로이드 양자점 기반 다이오드에 전자 주입 차단층(MoOx)을 도입하여 역전압 조건에서 암전류를 효과적으로 억제하였다. 금속-반도체 접합에서의 전하 거동을 설명하는 Simmons 모델을 기반으로 다이오드의 암전류-전압(J−V) 특성을 분석하였으며, 이를 통해 높은 역전압 조건에서의 전류 거동이 주로 터널링 전류 역학에 기인함을 확인하였다. 차단층 도입 결과 -1 V에서 기존보다 16배 감소된 암전류 밀도 4.4 × 10-3 mA/cm2와 EQE 84 %, SWIR 검출능 8.6 × 1011 Jones를 달성하였다.