저전압 고성능 유기 필드 효과 트랜지스터(OFET)는 차세대 전자기기를 위한 아날로그 및 디지털 통합 회로의 기본 요소로 간주됩니다. 이를 위해서는 OFET가 충분한 전계효과 전하를 만들기 위해 캐패시턴스 값을 증가시키기 위한 높은 유전 상수(k) 특성, 전하 trap을 일으키지 않는 친수성 표면, 그리고 동작 안정성을 보장하기 위한 낮은 누설 전류 특성을 갖추어야 합니다. 본 연구는 내구성이 있는 폴리실세스퀴옥산(PSQ) 기반 다이렉트릭스를 이용하여 높은 k 특성(>8)을 유도하는 새로운 전략을 보고합니다. 이 전략은 전기장 하에서 이차극성 측사의 재배열을 실현하고 이를 저전압 구동 OFET에 적용하여 최대 27 cm2 V-1 s-1의 높은 이동도를 나타냅니다. 다양한 PSQ들이 특성화되고, 이들 특성의 차이로 인해 장치 동작 중 서로 다른 히스테리시스 행동이 나타납니다. 인쇄된 단위 장치들은 유연한 플랫폼 위에도 제작될 수 있으며, 이러한 재료를 통해 통합 장치를 구성하여 저전압 구동 조건에서 강력한 스위칭 또는 메모리 성능을 보여줍니다.