Quantitative pore analysis using small angle scattering for secondary battery electrode materials
발표자
()
초록
내용
소각산란(small angle scattering) 기술은 X선 혹은 중성자선이 시료를 투과하며 발생하는 소각 영역의 산란패턴을 관찰하여 시료 내에 존재하는 1-300 nm 정도의 크기를 갖는 조성 혹은 밀도의 불균일성을 비파괴적으로 분석하는 기술이다. 특히 빔이 투과한 거시적인 체적 내의 통계적인 나노구조에 대한 정보를 제공하므로, 시료 내 닫힌기공(closed pore)을 포함한 모든 기공에 대한 분석이 가능하며, 무엇보다 산란강도의 적절한 절대값화(absolute calibration)를 통해 기공크기분포, 총 기공도를 포함하는 정량적인 분석이 가능하기 때문에 시료 내 나노크기의 기공분석에 매우 적합하다. 따라서, 본 연구에서는 X선소각산란(SAXS)과 중성자소각산란(SANS)을 상보적으로 활용하여 이차전지의 전극소재로 활용되는 하드카본과 Ni-rich NCM 소재의 기공을 정량 분석한 연구 결과에 대해 소개하고자 한다.