본 연구에서는 화학기상 증착법으로 성장된 단결정 단층 MoS2를 기반으로 한 고성능 n-type 트랜지스터 제작 방법과 이를 광검출기 소자로 응용한 결과에 대해 발표한다. n-type 특성을 지닌 MoS2 기반 트랜지스터의 경우 수분과 산소의 흡착에 의해 전자의 전하이동도가 매우 저하될 수 있다는 문제점을 안고 있다. 이를 해결하기 위해 절연 특성을 지닌 이차원 소재인 h-BN을 이용하여 수분 및 산소가 제어된 환경에서 MoS2의 표면을 모두 덮어줌과 동시에 그래핀을 소스/드레인 전극으로 활용한 all van der Waals transistor를 제작하였고, 제작한 MoS2 소자가 가시광선 및 적외선에 대한 광검출기 소자로서의 활용이 가능함을 검토해보고자 하였다. MoS2 기반 광검출기 소자의 가시광선 및 근적외선 반응성을 알아보기 위해 암실 환경에서 빛을 조사하여 각각의 파장의 빛에 대한 광전류를 발생시키는지 분석하였고, 가시광선 및 적외선 모두에서 광전류를 발생할 수 있다는 것을 관측하였다.