2차원 TMCs 재료 중 MoS2는 단일 층으로 성장되었을 때 독특한 물리적인 성질을 가지고 있으며 멤리스터, 전계효과 트랜지스터 등 고성능 고기능성 소자로의 잠재적인 응용성으로 인해 많은 주목을 끌고 있는 물질이다. 반도체 특성을 갖는 2차원 구조물질인 MoS2 박막을 염을 이용한 화학기상 증착법을 이용하여 대면적으로 합성하였고 그 특성을 분석하였다. MoS2를 대면적으로 합성하기 위하여 압력, 온도, NaCl양, gas의 종류 등 다양한 변수를 이용하여 실험을 진행하였다. 합성한 MoS2를 분석하기 위하여 Raman 분광법, 광학현미경, AFM을 사용하여 분석을 수행하였다. 또한 합성한 MoS2를 이용하여 멤리스터 및 트랜지스터를 제작하여 전기적 특성을 분석하였다.