이주미ㆍ신관우 고분자 과학과 기술 제 24 권 6 호 2013년 12월 575 Polymer Blend A B K T Range dPS/PS -0.00017 0.117 150-220 dPS/PMMA 0.0174 2.39 120-180 PS/dPMMA 0.0180 1.96 170-210 PS/PMMA 0.0129 1.96 100-200 dPS/dPMMA 0.0154 19.6 130-210 PVME/PS 0.103 -43.0 60-150 dPS/PPO 0.059 -32.5 180-330 dPS/TMPC 0.157 -81.3 190-250 표 1. 고분자 혼합물의 Flory Interaction Parametes2 그림 1. 중성자를 이용한 소각산란 장치 셋업. 그림 2. 100-200 ℃에서 균일상을 갖는 dPS-b-POA 블록 공중합체의 소각 중성자산란 곡선.4  ≅   1 표 1은 일반적인 고분자 블렌드의 상호인력 계수를 보여 준다. 표 1에서 보듯, 고분자의 혼합물은 다양한 상호인력 계 수를 가지며 대부분의 고분자는χ가 양의 값을 갖는다. 이 경우 낮은 온도에서 비상용성을 나타내며 온도가 증가함에 따라 상 용성을 나타내는 UCST upper critical solution transition 거...

이주미ㆍ신관우 고분자 과학과 기술 제 24 권 6 호 2013년 12월 577 그림 5. 표면 위에 조성된 고분자 박막으로부터 반사율 측정을 통하여 얻어지 는 계면 넓이, roughness에 포함된 정보와 Flory parameter의 관계. 아래는 각각의 엔트로피와 엔탈피에 의한 계면 넓이의 변화. 중성자 소각산란으로 χ를 분석하는 것에 비하여, 두종류의 비상용성 고분자 immiscible polymer 의 계면의 변화를 정 확하게 측정할 수 있는 경우, 두 고분자가 갖고 있는 계면의 넓이로부터 χ값을 계산할 수 있다는 예상을 할 수 있다. 특히 critical 온도와 같이 두 고분자가 완전히 섞이는 조건에서 두 고 분자의 계면이 무한대로 가고, 두 계면이 전혀 섞이지 않는 조건 에서 계면의 넓이 interfacial width 가 완전한 step-function을 갖는다고 가정할 때, 두 고분자가 같고 있는 χ값에 의하여 결 정되는 interfa...

특 집 고분자 과학과 기술 제 24 권 6 호 2013년 12월 579 X-선을 이용한 유기박막의 나노 구조와 물성 연구 Nano-Structure Research of Organic Thin Films Using Synchrotron X-rays 김효정1ㆍ이현휘2 | Hyo Jung Kim1ㆍHyun Hwi Lee2 1 Department of Organic Material Science and Engineering, College of Engineering, Pusan National University, 2, Busandaehak-ro, 63beon-gil, Geumjeong-gu, Busan 609-735, Korea 2 Pohang Accelerator Laboratory, POSTECH, Jigokro-127beon-gil, Nam-gu, Pohang 790-784, Korea E-mailhyojkim@pnu.ac.kr, hhleec@postech.ac.kr 김효정 1994 이화여자대학교 학사 1996 포항공과대학교 석사 2003 광주과학기술원 박사 2013-현재 부산대학교 조교수 이현휘 1996 한국과학기술원 학사 1998 광주과학기술원 석사 2003 광주과학기술원 박사 2003-2005 LG 이노텍 2005-현재 포항가속기연구소 책임급연구원 1. 서론 유기 광전자 소자의 발달과 더불어 유기물 박막의 구�...

김효정ㆍ이현휘 고분자 과학과 기술 제 24 권 6 호 2013년 12월 581 그림 2. a Al전극이 있는 P3HTPCBM 박막에 대한 엑스선 반사율 측정 결과 Al두께10nm, P3HTPCBM 두께70 nm, CB용매 사용, 파란색-열처 리 전, 빨간색-150 ℃에서 30분 열처리 후, 실선-피팅 결과 , b 엑스선 반사율 데이터를 식 3 을 이용해 분석하여 얻은 박막 두께에 따른 밀도 변화. 그림 4. 실시간 열처리 측정법을 이용해 관측한 Al전극와 P3HTPCBM 계면 의 실시간 변화a 엑스선 반사율 데이터, b d 엑스선 반사율을 식 3 을 이용하여 분석한 결과. 그림 3. a 실시간 열처리 챔버, b 열처리 챔버에 샘플을 장착한 모습. 과이다. P3HTPCBM poly 3-hexylthiophene C61-butyric acid methyl ester 11 wt% 은 CB 용매를 이용하여 제작하 였고, 그 위에 10 nm 두께의 Al 전극층은 열증착 방법으로 제작하였다. 후속 열처리는 150 ℃에서 30분 동안 진�...

김효정ㆍ이현휘 고분자 과학과 기술 제 24 권 6 호 2013년 12월 583 그림 9. CuPc 5 nm 두께에 대한 스침각 소각 산란 데이터와 시뮬레이션 계산 결과. 그림 8. a , b 열처리 전과 열처리 후 P3HTPCBM 박막에서 P3HT 분포 변화. c , d Al 전극이 있는 상태에서 열처리 전과 열처리 후 P3HTPCBM 박막에서 P3HT 분포 변화. 그림 11. a 5nm ZnPc 박막에 대한 스침각 소각 산란 데이터, b 20 nm 두께의 ZnPcC60 벌크이종접합 구조 박막에 대한 스침각 소각 산란 데이터, c 와 d 는 각각 a 와 b 데이터에 대한 IsGISAXS를 이용한 시뮬레이션 계산 결과. 그림 10. 친수성과 소수성 기판 위에 성장시킨 CuPc 5 nm 두께의 박막에 대한 모델. 스침각 소각 산란법은 엑스선의 입사각을 전반사가 일어나 는 임계각 근처의 매우 작은 값에서, 샘플과 디텍터 사이의 거리를 최대한 늘려 나노 크기에 대한 정보를 얻는 ...