이동희ㆍ김현지ㆍ이근형 고분자 과학과 기술 제 26 권 6 호 2015년 12월 485 그림 3. a ABA 타입의 블록 공중합체를 이용한 이온 젤의 형성 모식도와 사진, b 10 wt% PS-PEO-PS 이온 젤의 저장 탄성률 storage modulus 와 손실 탄성률 loss modulus 의 tTS master curve, c 이온 젤에서 triblock copolymer인 PS-PMMA-PS와 PS-PEO-PS의 비율 변화에 따 른 탄성율과 이온 전도도의 상관관계.22 그림 4. 전기화학 트랜지스터의 단면 모식도. 하고자 한다. 이온성 액체가 스며들 수 있는 3차원 고분자구조체는 비 가역적인 화학적 가교와 가역적인 물리적 가교를 이용하여 구성할 수 있다. 화학적 가교를 가지는 이온 젤을 얻기 위 해서는 주 host 고분자가 이온성 액체에 잘 용해되어야 하 며, 단량체를 이온성 액체 안에서 중합시키거나, 거대단량 체와 작용기가 2개 이상인 cross-links를 이용하여 만들 수 �...

이동희ㆍ김현지ㆍ이근형 고분자 과학과 기술 제 26 권 6 호 2015년 12월 487 그림 7. PDMS 기판에 그래핀 반도체와 이온 젤 절연체를 이용하여 제작 된 트랜지스터.36 그림 6. a 전사인쇄 방식으로 제작된 박막트랜지스터의 단면 모식도 위 와 그 실제 이미지 아래 , b 플렉서블한 폴리이미드 기판 위에 전사 인쇄 된 트랜지스터 집합체, c 전기화학 트랜지스터의 ID-VD 특성, d 전기화 학 트랜지스터의 ID-VG 특성.28 co-bithophene , F8T2와 같은 티오펜 계열의 고분자 반도 체, MEH-PPV와 같은 페닐렌비닐렌 phenylene vinylene 계열의 고분자 반도체, octathio[8]circulene과porphyrazine 유도체와 같은 유기반도체 등이 있다. 예를 들어, Frisbie와 Lodge 공동 연구팀은PS-PEO-PS, PS-PMMA-PS, PS-PEA-PS, P VDF-HFP 고분자와 [EMI][TFSI], [BMI][PF6], [EMI] n-octylsulfate [OctOSO3] 이온성 액체를 이용하여 고체 이온 젤을 형�...

이동희ㆍ김현지ㆍ이근형 고분자 과학과 기술 제 26 권 6 호 2015년 12월 489 Am. Chem. Soc., 127, 4976 2005 16. K. Matsumoto and T. Endo, Macromolecules, 41, 6981 2008 17. B. Berns, H. Deligöz, B. Tieke, and F. Kremer, Macromol. Mater. Eng., 293, 409 2008 18. Y. Lei, T. P. Lodge, Soft Matter, 8, 2110 2012 19. K. H. Lee, M. S. Kang, S. Zhang, Y. Gu, T. P. Lodge, C. D. Frisbie, Adv. Mater., 24, 4457 2012 20. J. C. Jansen, K. Friess, G. Clarizia, J, Schauer, and P. Izák, Macromolecules, 44, 39 2011 21. Y. He, P. G. Boswell. P. Buhlmann, and T.P. Lodge, J. Phys. Chem. B, 111, 4645 2007 22. S. Zhang, K. H. Lee, C. D. Frisbie, and T. P. Lodge, Macromolecules, 44, 940 2011 23. B. Tang, S. P. White, C. D. Frisbie, and T. P. Lodge, Macromolecules, 48 4942 2015 24. J. Lee, M. J. Panzer, Y. He, T. P. Lodge, and C. D. Frisbie, J. Am. Chem. Soc., 129, 4532 2007 25. J. H. Cho, J. Lee, Y. He, B. S. Kim, T. P. Lodge, and C. D. Frisbie, Adv. Mater., 20, 686 2008 26. J. H. Cho, J. L...

...��핀 트랜지스터 Polyelectrolyte Gated Graphene Transistors 이영빈1ㆍ김현우1ㆍ조정호1,2 | Youngbin Lee1ㆍHyunwoo Kim1ㆍJeong Ho Cho1,2 1SKKU Advanced Institute of Nanotechnology SAINT , 2066, Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Korea 2 School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, 2066, Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Korea E-mailjhcho94@skku.edu 이영빈 2009 성균관대학교 신소재공학부 학사 2015 성균관대학교 나노과학기술학과 박사 2015-현재 성균관대학교 나노소재기반 휴먼인터페이스 융합연구센터 Post-Doc. 김현우 2014 성균관대학교 화학공학부 학사 2014-현재 성균관대학교 나노과학기술학과 석사과정 조정호 2001 서강대학교 화학공학과 학사 2003 포항공과대학교 화학공학과 석사 2006 포항공과대학교 화학공학과 박사 2008 University of Minnesota 화공재료공학과 Post-Doc. 2008-2012 숭실대학교 유기�...

이영빈ㆍ김현우ㆍ조정호 고분자 과학과 기술 제 26 권 6 호 2015년 12월 491 그림 1. 전해질 절연체의 분극 현상. 그림 2. a 고무 기판 위 제작된 이온젤 절연체 기반 그래핀 트랜지스터, b 제작된 유연 그래핀 트랜지스터의 채널 두께에 따른 전하전달 특성, c 그래핀 채널의 두께에 따른 전자 및 정공 이동도. Reproduced with permission of Nano Lett. Copyright 2011 American Chemical Society. 본 논문에서는 고분자 전해질을 절연체로 활용한 유연 그래핀 트랜지스터의 제작 공정 및 특성에 대해 다양한 구 조적 관점에서 소개하고자 한다. 구체적인 소자에 대한 소 개에 앞서 고분자 전해질을 절연층으로 활용하여 높은 정 전용량이 얻어지는 물리적인 원리와 소자로 활용하기 위한 용액 공정법을 고찰하였다. 고분자 전해질의 물리적인 구 동 원리에 기인하여 구현할 수 있는 수직/�...