배재현ㆍ김세현 고분자 과학과 기술 제 27 권 4 호 2016년 8월 317 그림 6. a 전압과 인쇄 거리에 대한 각각의 인쇄 모드, b 넓은 인쇄 거리 범위와 전압에 따른 인쇄 모드. 2.3 전기수력학 인쇄에 영향을 미치는 요소 기본적으로 전기수력학 인쇄에 이용되는 젯의 형태는 인 가하는 전압과 인쇄 거리에 의해 결정된다. 인가하는 전압이 증가할수록, 그리고 인쇄 거리가 짧아질수록 젯의 형태는 dripping, micro-dripping, cone-jet, 그리고 multi-jet으로 발 전해 나간다. 실제로 그림 6a는 인쇄 거리와 전압에 크기에 따 른 isopropyl alcohol IPA , N-methyl-2-pyrrolidone NMP 두 용매의 젯의 형태를 나타낸다. 그림 6b는 넓은 범위의 인 쇄 거리와 전압에 따른 젯의 형태를 의미한다. 인쇄 거리가 1 cm 이상으로 넘어가게 되면, 젯은 기판에 도달하기 까지 전 기장 및 외부의 환경으로 인해 젯과 �...

배재현ㆍ김세현 고분자 과학과 기술 제 27 권 4 호 2016년 8월 319 그림 10. P3HT 나노와이어 박막트랜지스터의 a transfer 특성 및 b output 특성. N2200 나노와이어 박막트랜지스터의 c transfer 특성 및 d output 특성. Reproduced with permission of Nat. Commun. Copyright 2013 Nature Publishing Group. 그림 9. a 유기반도체 나노와이어 프린팅 모식도, b 잘 정렬된 poly 9-vinyl carbazole PVK 나노와이어 어레이 PVK 나노와이어의 지름290 nm , c PVK 나노와이어 단면 Field emission scanning electron microscope FE-SEM 이미지. Reproduced with permission of Nat. Commun. Copyright 2013 Nature Publishing Group. 그림 8c 연구팀은 최적화된 인쇄기술을 바탕으로 P3HT 마 이크로선을 약 100여 개의 단위소자에 인쇄하였고 그림 8d , 플렉시블 유기박막트랜지스터를 제작하였으며, 굽힘에 따른 성공적인 소자 작동을 구현하였다 그림 8e, f .19 또한, �...

배재현ㆍ김세현 고분자 과학과 기술 제 27 권 4 호 2016년 8월 321 그림 13. a Cu 나노와이어 제조과정 모식도 b PVP/Cu CO2CF3 2 나노와이어 SEM 이미지 c Cu 나노와이어 SEM 이미지 d Cu 나노와이어가 인쇄된 유리기판의 디지털 사진 및 투과도 Reproduced with permission of Adv. Mater. Copyright 2014 Wiley-VCH Verlag GmbH&Co. KGaA. 그림 14. a 3D 막대 제조 과정 모식도, b 인쇄된 Ag 막대 SEM 이미지 scale bar2 μm , c 인쇄된 Cu 막대 SEM 이미지 scale bar5 μm , d 인쇄된 Co 막대 SEM 이미지 scale bar2 μm , e 인쇄된 anthracene 막대 SEM 이미지 scale bar5 μm , f 5 anthracene 막대의 십자 형태 SEM 이미지 scale bar10 μm , g 문자 “E” 형태의 anthracene 막대 SEM 이미지 scale bar10 μm , h 플렉시블 기판 위에 bridge-like interconnect Ag 구조의 모식도, i ridge-like interconnect Ag SEM 이미지 scale bar50 μm Reproduced with permission of Adv. Mater. Copyright 2015...

배재현ㆍ김세현 고분자 과학과 기술 제 27 권 4 호 2016년 8월 323 잉크의 점도는 약 20,000 cP 23 ℃, shear stain rate = 100 s-1 로서, 은나노 입자 잉크의 Taylor cone 형성 점도 2,200 4,200 cP 보다 월등히 높아서 cone-jet 모드에서 인쇄가 일어나지 않 지만, 인가된 전압에 의한 정전기적 인력이 전극의 접착력에 영 향을 미치게 된다. 이를 통해, 0.79의 고종횡비 및 0.98 ±0.92 mΩ cm2의 접촉저항을 갖는 은전극을 제조하였고, 17.2 % 고효율을 보여주는 결정 Si 태양 전지를 제작하였다.35 3. 결론 본 총설에서는 차세대 전자산업에 적용될 인쇄전자 분야 에서 전기수력학 인쇄의 기본 원리에서부터 최신 연구/기술 동향에 대해 알아보았다. 전기수력학 인쇄에서는 최근 활발 히 연구되고 있는 다양한 재료들의 마이크로 스케일에서부 터 나노스케일 까지 패턴 형성 가능하였으며, 다�...

박성민ㆍ윤재훈ㆍ손해정 고분자 과학과 기술 제 27 권 4 호 2016년 8월 325 그림 2. OFET의 출력 특성 그래프의 예.3 그림 1. a TFT소자 구조의 예 bottom gate-top contact , b OPV 구조의 예 normal type , 고분자의 대표적인 배열의 예; c egde-on과 d face-on. 그림 3. a TOF법을 통한 모빌리티 측정, b TOF법을 통한 전하 수송 시간 분석. 2. 본론 2.1 OTFT를 이용한 전하 이동도 측정 OTFT는 소스 source , 드레인 drain , 게이트 gate 3개 의 전극과 전하 이동도를 측정하고자 하는 유기 공액 고분자 물질 층으로 구성되어 있다. 또한, 전도성 채널을 형성하는 유기 공액 고분자 층과 게이트 전극은 유전체 층에 의해 분 리 되어 있다. OTFT는 유기 전계 효과 트랜지스터 organic field effect transistor, OFET 라고도 불리며 기존의 FET와 같은 동작 원리를 가진다. 게이트 전극에 양 + 전압을 인가 하면 유기 공액 ...