이기쁨ㆍ하지민ㆍ김연주ㆍ허양일ㆍ나창운 고분자 과학과 기술 제 27 권 5 호 2016년 10월 533 그림 9. IPN을 이용한 주름구조 전극.46 록 하였다. 그 후 특정방향으로 인장변형을 가한 상태에서 전 도성 용액 단축 및 다축 카본나노튜브 함유 을 분사하여 실 리콘고무를 가교시키고 변형을 제거하면 역시 표면에 주름 구조를 갖는 전극이 만들어진다.47-49 이 경우 주름 형성 메커 니즘은 아크릴과 실리콘 고무의 모듈러스 차이는 물론이고 두 가교구조 내에 존재하는 응력의 차이에 기인된다. 제작된 전극은 140% 인장변형까지 102 S/cm의 안정적인 전기 전도 도를 나타냈으며, 33%의 동적변형 하에서 100,000 cycle 이 상 계면분리나 전도성 하락이 발견되지 않았기 때문에 장기 내구성의 확보기술에 기여할 수 있을 것으로 기대된다. 3. 결언 고무탄성은 고무소재를 나타�...

고분자 과학과 기술 제 27 권 5 호 2016년 10월 535 고성능 유기 트랜지스터를 위한 소재와 소자의 기술개발 및 발전동향 Research Trends of Materials and Devices for High Performance Organic Field-Effect Transistors 김지홍1ㆍ이민혜1ㆍ임대희1ㆍ백강준2ㆍ노용영3ㆍ김동유1 | Jihong KimㆍMin-Hye LeeㆍDae-Hee LimㆍKang-Jun BaegㆍYong-Young NohㆍDong-Yu Kim 1 School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology GIST , 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju 61005, Korea 2 Department of Graphic Arts Information Engineering, Pukyong National University, 365 Shinseon-ro, Nam-gu, Busan 48547, Korea 3 Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 30 Pildong-ro 1-gil, Jung-gu, Seoul 04620, Korea E-mailkimdy@gist.ac.kr 김지홍 2011 성균관대학교 화학공학부 학사 2013 광주과학기술원 신소재공학부 석사 2013-현재 광주과학기술원 신소재공학부 박�...

김지홍ㆍ이민혜ㆍ임대희ㆍ백강준ㆍ노용영ㆍ김동유 고분자 과학과 기술 제 27 권 5 호 2016년 10월 537 그림 2. a PDQT와 PDVT-10의 화학구조, b P14와 P18의 구조와 합성 과정,2 c Siloxane으로 치환된 곁사슬을 가지는 PII2T-Si의 화학 구조 및 전하이동 특성 모식도,3 d 가짓점 위치가 조절된 곁사슬이 도입된 고분자의 화학 구조, e P-29-DPPDTSE의 화학 구조,5 f semi-fluorinated alkylpolyquaterthiophene SFA-PQT 의 화학구조, g PTIIG-Np의 화학적 구조 및 소자 내 분자쌓임의 모식도,7 h PDFDT의 화학적 구조. Reproduced with permission of Chem. Mater Copyright 2014 , American Chemical Society, Reproduced permission of J. Am. Chem. Soc. Copyright 2011 , 2013 , 2014 American Chemical Society. branched 곁사슬에 비해 가짓점 위치 branching point 가 주쇄사슬로부터 떨어진 zeta-branched siloxane 곁사슬은 주쇄사슬의 면간거리를 줄이고 큰 결맞음거�...

김지홍ㆍ이민혜ㆍ임대희ㆍ백강준ㆍ노용영ㆍ김동유 고분자 과학과 기술 제 27 권 5 호 2016년 10월 539 그림 5. a Quinoidal bithiophene QBT 와 quinoidal biselenophene QBS 의 화학구조,13 b DPP와 benzotriazole의 공액고분자에 서로 다른 곁사슬을 도입한 고분자의 화학구조.14 c siloxane-terminated 곁사슬을 조절한 화학구조와 PTDPPSe-SiC5의 분자간 쌓임,15 d CNTVTSVS의 화학적 구조 및 구성비에 따른 트랜지스터 성능의 비교 그래프.16 Reproduced with permission of J. Am. Chem. Soc. Copyright 2013 American Chemical Society. Reproduced with permission of Chem. Mater. Copyright 2016 American Chemical Society. 해 스스로 결정을 이루면 강한 자기조립에 의해 향상된 마이 크로구조 구조를 형성하였다. 개발한 신규 고분자는 기존 재 료에 비해 높은 열·환경 안정성을 가졌으며 최고 6.5 cm2/Vs 전하 이동도를 보이는 n형 트랜지스터의 �...

김지홍ㆍ이민혜ㆍ임대희ㆍ백강준ㆍ노용영ㆍ김동유 고분자 과학과 기술 제 27 권 5 호 2016년 10월 541 그림 6. 오프센터 스핀코팅법을 활용하여 a 배열된 고분자 박막을 형성하고 주된 원인을 규명한 결과31와 b 공액 고분자와 PS 혼합을 통해 배열된 이방성 고분자 박막 형성.32 Reproduced with permission of Chem. Mater. Copyright 2015 American Chemical Society. Reproduced with permission of Langmuir. Copyright 2015 American Chemical Society. 는 오프센터 스핀코팅법 off-center spin coating 을 통해 공 정에서 발생하는 원심력을 활용하여 분자의 배열을 유도하 는 연구가 보고되었다.30 본 연구진에서는 다양한 종류의 공액 고분자 반도체와, 오 프센터 스핀코팅법을 활용하여 고분자의 배열을 유도하고 이방성 박막을 형성하고자 하였으며, 이와 더불어 고분자가 배열된 박막 형성에 있어서 중요한 원인...