정성우ㆍ양창덕 고분자 과학과 기술 제 30 권 5 호 2019년 10월 403 표 2. N-형 및 양극성 고분자 소재의 분자량, 광학 및 전기적 특성과 OFET 성능 고분자 Mn Egopt HOMO/LUMO Device Structure Max uh Max ue P14a17 280 1.45 -4.00/-5.45 TGBC NA 0.85 P14b17 97.8 1.47 NA BGTC NA 1.90 P14c17 28 1.61 -5.62/-4.01 BGTC NA 6.50 P15a18 18 1.2 -5.07/-3.82 BGTC 2.53 0.43 P15b18 20.3 1.2 -4.91/-3.65 BGTC 3.97 2.20 P16a19 25.1 1.25 -5.17/-3.56 BGTC 6.16 3.07 P16b19 23.3 1.24 -5.10/-3.49 BGTC 8.84 4.34 P16c19 23.0 1.23 -5.09/-3.41 BGTC 3.97 2.20 P1720 38.9 1.44 -5.93/-4.00 TGBC 0.0064 3.2 P18a21 39.7 NA -5.84/-3.81 TGBC 1.7 8.5 P18b21 56.1 NA -6.20/-3.88 TGBC NA 3.5 P19a22 17.4 1.50 -5.36/-3.56 BGTC 0.37 0.24 P19b22 54.0 1.49 -5.45/-3.57 BGTC 0.30 0.26 P19c22 18.8 1.52 -5.57/-3.56 BGTC 0.03 0.12 P19d22 16.3 1.47 -5.65/-3.64 BGTC 0.25 2.36 P20a23 53.0 1.30 -5.17/-3.35 BGTC 3.05 NA P20b23 59.9 1.41 -5.36/-3.50 BGTC 3.40 5.86 P21a24 88.8 1.64 -5.48/-3.63 TGBC 0.67 N...

정성우ㆍ양창덕 고분자 과학과 기술 제 30 권 5 호 2019년 10월 405 그림 6. P-형, N-형 및 양극성 고분자 소재 합성 전략.19, 27, 29 그림 7. 거대 실리콘 가지 사슬 도입의 예.30 2.1.2.3 이민-형 질소 도입 이민-형 방향족성 그룹의 도입은 1 HOMO/LUMO 에 너지 레벨을 낮추고; 2 질소 원자로 인한 강한 쌍극자 인력 작용으로 평면성 및 결정성 향상의 장점을 부여할 수 있게 된 다. 위에서 주로 언급된 싸이오펜이 연결된 DPP 기반 고분 자와 달리 벤젠이 연결된 DPP 기반 고분자는 P25a 벤젠과 DPP 모체의 큰 이면각으로 인하여 낮은 전하 이동도를 보여 주었다. 이를 해결하고자, 리 Li 교수그룹은 피리딘 pyridine 이 연결된 DPP 기반 고분자 P25b를 합성하였으며 DFT 계 산을 통해 이면각이 0o에 가까움을 보여주었다. 좋은 평면성 을 가진 P25b의 경우는 3.6 Å의 가까운 π-π 쌓임 거리를 ...

정성우ㆍ양창덕 고분자 과학과 기술 제 30 권 5 호 2019년 10월 407 Noh, and C. Yang, J. Am. Chem. Soc., 136, 9477 2014 14. W. Zhang, Y. Han, X. Zhu, Z. Fei, Y. Feng, N. D. Treat, H. Faber, N. Stingelin, I. McCulloch, T. D. Anthopoulos, and M. Heeney, Adv. Mater., 28, 3922 2016 15. I. Kang, H. -J. Yun, D. S. Chung, S. -K. Kwon, and Y. -H. Kim, J. Am. Chem. Soc., 135, 14896 2013 16. J. Y. Back, H. Yu, I. Song, I. Kang, H. Ahn, T. J. Shin, S. -K. Kwon, J. H. Oh, and Y. -H. Kim, Chem. Mater., 27, 1732 2015 17. W. Lee, C. Lee, H. Yu, D. -J. Kim, C. Wang, H. Y. Woo, J. H. Oh, and B. J. Kim, Adv. Funct. Mater., 26, 1543 2016 , b B. Kang, R. Kim, S. B. Lee, S. K. Kwon, Y. H. Kim, K. Cho, J. Am. Chem. Soc., 138, 3679 2016 18. J. Lee, A. R. Han, J. Kim, Y. Kim, J. H. Oh, and C. Yang, J. Am. Chem. Soc., 134, 20713 2012 19. J. Lee, A. R. Han, H. Yu,T. J. Shin, C. Yang, and J. H. Oh, J. Am. Chem. Soc., 135, 9540 2013 20. Z. Chen, W. Zhang, J. Huang, D. Gao, C. Wei, Z. Lin, L. Wang,...

...rials Science, Ewha Womans University, 52 Ewhayeodae-gil, Seodaemun-gu, Seoul 03760, Korea E-mailleebhoon@ewha.ac.kr 박소희 2019 이화여자대학교 화학신소재공학전공 학사 2019-현재 이화여자대학교 화학신소재공학전공 석사과정 유다현 2019 이화여자대학교 화학신소재공학전공 학사 2019-현재 이화여자대학교 화학신소재공학전공 석사과정 이병훈 2006 충북대학교 화학공학과 학사 2007 LG화학 연구원 2009 광주과학기술원 신소재공학부 석사 2013 광주과학기술원 신소재공학부 박사 2016 University of California Santa Barbara Post-Doc. 2017-현재 이화여자대학교 화학신소재공학전공 조교수 1. 서론 고분자 반도체는 우수한 기계적 유연성, 광학적/전기적 특성 조절 용이성 및 간소한 소자 제작 공정으로 인 해 차세대 유연 전자소자의 핵심 소재로서 큰 관심을 받고 있다.1-4 하지만 무기물 대비 상대적�...

박소희ㆍ유다현ㆍ이병훈 고분자 과학과 기술 제 30 권 5 호 2019년 10월 409 그림 1. a 마이크로-트렌치 기반 블레이드 공정 모식도, b 마이크로-트렌치 사이에 형성되는 속도장 계산 결과위 3차원, 아래 2차원, c 마이크로-트렌 치 블레이드의 주사전자현미경 이미지, d DPPDTSE와 SEBS의 화학 구조, e 박막의 편광 광학 현미경 이미지, f 스핀 코팅 SC 및 마이크로-트렌치 블레이드 SS 이용하여 제작된 박막의 원자힘 현미경 이미지, g 빔 입사각에 따른 배향된 고분자 복합체 박막의 그레이징 입사 광각 X선 산란 결과, h 편광 입사각에 따른 자외선-가시광선 흡수 스펙트럼, i 100% 인장된 박막의 광학 현미경 이미지좌 고분자 반도체 단독, 우 고분자 복합체, j 인장된 고분자 복합체 박막의 원자힘 현미경 이미지, k 전계효과 트랜지스터 구조 모식도 및 이미지, l 다양한 방...