류 민ㆍ이효민 고분자 과학과 기술 제 33 권 6 호 2022년 12월 567 표면장력계를 통해 이러한 코팅재의 손상 및 변질을 포함하여 표면 작용기의 배열 변화 등의 다양한 변화를 즉각적으로 관찰할 수 있다. 한 예로 폴리에틸렌글리콜 poly ethylene glycol , PEG 로 후처리된 고분자 코팅막이 처음에는 소수성 hydrophobicity 을 띠지만 물에 장시간 접촉하면서 PEG 작용기가 표면으로 나오게 되면서 재배열되며 친수성으로 변화하고, 다시 건조시킬 경우 소수성으로 가역적 변화를 갖는 표면에 적용된 바 있다 그림 5a 해당 연구에서는 물의 온도와 표면장력계 내에서 고분자 코팅막이 처리된 시편의 immersionㆍemersion 속도를 달리하고 아레니우스식 Arrhenius equation 을 활용함으로써 작용기 재배열에 대한 동역학 거동을 분석하였다.7 또한, 표면장력계가 액상 박막 담지 표면 liqu...

류 민ㆍ이효민 고분자 과학과 기술 제 33 권 6 호 2022년 12월 565 무게를 제외하고 계면장력, 점성력, 부력의 영향을 받게 되며 낮은 모세관 수 capillary number 에서 점성력은 무시할 수 있다. Du No y 고리법과 Wilhelmy 평판법에 주로 사용되는 시편은 오염, 변성, 변질에 강한 백금을 일반적으로 사용하며, 시편의 기하학적 구조에 따라 표면장력계에서 발생하는 힘이 크게 달라지기 때문에, 시편에 인가되는 힘의 측정과 이의 정확한 분석을 위해서는 사용하고자 하는 시편의 구조를 정교하게 제어하고 사전에 그 구조 정보를 파악해야 한다. 먼저 Du No y 고리법을 사용하는 경우, 표면장력계 사용시 고리에 인가되는 알짜 힘  은 고리의 무게  와 고리의 내ㆍ외부 둘레에 작용하는 표면장력으로 구성되어 있다 그림 1a     �...

권지현ㆍ백세웅 고분자 과학과 기술 제 33 권 6 호 2022년 12월 563 Adv. Mater., 31, 1805836 2019 21. F. Hao, C. C. Stoumpos, R. P. H. Chang, and M. G. Kanatzidis, J. Am. Chem. Soc., 136, 8094 2014 22. U. Bach, D. Lupo, P. Comte, J. E. Moser, F. Weiss rtel, J. Salbeck, H. Spreitzer, and M. Gr tzel, Nature, 395, 583 1998 23. T. M. Koh, T. Krishnamoorthy, N. Yantara, C. Shi, W. L. Leong, P. P. Boix, A. C. Grimsdale, S. G. Mhaisalkar, and N. Mathews, J. Mater. Chem. A, 3, 14996 2015 24. X. Zhao, L. Song, R. Zhao, and M. C. Tan, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2344 2018 25. A. S. Upadhyaya and P. K. Bandyopadhyay, J. Phys. Conf. Ser., 390, 012018 2012 26. M. A. Iqbal, A. Liaqat, S. Hussain, X. Wang, M. Tahir, Z. Urooj, and L. Xie, Adv. Mater., 32, 2002628 2020 27. M. M Ackerman, Information Display, 36, 19 2020 28. D. Chen, Y. Liu, B. Xia, L. Chen, Y. Yang, G. Yang, J. Liu, S. Lu, C. Ge, P. Liu, J. Yang, G. Liang, X. Lan, X. Zeng, L. Li, J. Zhang, Z. Xiao, L. Gao, and J. Tang,...

권지현ㆍ백세웅 고분자 과학과 기술 제 33 권 6 호 2022년 12월 561 설계하거나, 발광 다이오드 자체의 소자 구조를 개선함으로써 전하 균형을 최적화하는 등의 연구가 필요하다. 얼마 전 발표된 논문에서는 In Zn As-In Zn P-GaP-ZnS 구조의 양자점 코어/쉘 구조 설계를 기반으로 LWD를 제작 함으로써 고성능 SWIR LED 제작의 가능성을 보고했다.31 해당 소자는 그림 5와 같이 기존 InAs 양자점만 사용하는 것이 아닌 더 넓은 밴드갭 In Zn P, GaP 및 ZnS 쉘을 사용하여 In Zn As 코어를 순차적으로 쉘링함으로써 안정적인 발광을 가능하게 했고, 그 결과로 73%의 놀라운 PLQE를 달성했다. 또한, InAs 코어를 합성하는 동안 전구체 화학물질의 양과 반응 온도를 변화시켜 925 nm에서 1,025 nm로 적용범위가 넓은 PL 스펙트럼을 조정할 수 있음을 보였다. 뿐만 아니라 LED 설계 측면에서도 소자 �...

권지현ㆍ백세웅 고분자 과학과 기술 제 33 권 6 호 2022년 12월 559 배열되는 구성14을 이루고 있다. 분자 궤도 이론에 따르면 중합체의 highest occupied molecular orbital HOMO 과 lowest unoccupied molecular orbital LUMO 의 조합은 각각 도너와 억셉터의 HOMO와 LUMO를 결합하여 형성된다. 이때, 궤도 혼성화 및 전자 재분배 후, 생성된 폴리머의 새로운 HOMO는 혼성화 전 도너 및 억셉터보다 높지만 새로운 LUMO는 도너 및 억셉터보다 낮게 형성된다. 따라서, 생성된 고분자는 비교적 좁은 밴드갭이 생성된다. 여기서, 밴드갭은 고분자의 공명 구조와 평면 구조, 분자 간 상호 작용 등에 따라 추가로 영향을 받게 된다. 공명 구조의 형태에 따라 결합 길이가 감소할수록, 또는 평면 구조에 따른 궤도 겹침, π전자 비 편재화 현상 정도에 의해 분자 내 전하 이동 효과가 증가할수록 밴드갭이...