일반총설 | 크기와 형태가 제어된 금속 나노입자 274 고분자 과학과 기술 Polymer Science and Technology 그림 13. 고 밀러 지수 결정면으로 둘러싸인 오목한 정육면체 나노입자의 전자현미경 이미지와 촉매 활성 그래프. A 팔라듐, 포름산 전기화학 산화 반응,15 B 백금, 산소 환원 반응.16 그림 14. A 두 금속 나노입자의 서로 다른 구조,61 B 금, 은 나노입자와 두 금속의 합금 나노입자의 조성에 따른 UV-vis. 스펙트럼,62 C 서로 다른 형태의 백금, 팔라듐 합금 나노입자의 조성과 형태에 따라 조절된 니트로벤젠 수소화 반응에서의 전환빈도 그래프.64 석유 분해 반응 등 여러 화학공업 공정에서 촉매제로 사용되 고 있으며52 백금, 팔라듐 나노입자 또한 주로 촉매 또는 전기 화학 촉매로 응용되고 있다. 앞서 서론에서 언급하였듯이 형 태가 서로 다른 금속 나노입자는 원자...

일반총설 | 크기와 형태가 제어된 금속 나노입자 276 고분자 과학과 기술 Polymer Science and Technology 43. P.-J. Debouttière, S. Roux, F. Vocanson, C. Billotey, O. Beuf, A. Favre-Réguillon, Y. Lin, S. Pellet-Rostaing, R. Lamartine, P. Perriat, and O. Tillement, Adv. Func. Mater., 16, 2330 2006 44. D. Kim, S. Park, J. H. Lee, Y. Y. Jeong, and S. Jon, J. Am. Chem. Soc., 129, 7661 2007 45. X. Huang, I. H. El-Sayed, W. Qian, and M. A. El-Sayed, J. Am. Chem. Soc., 128, 2115 2006 46. G. von Maltzahn, J.-H. Park, A. Agrawal, N. K. Bandaru, S. K. Das, M. J. Sailor, and S. N. Bhatia, Cancer Res., 69, 3892 2009 47. P. Ghosh, G. Han, M. De, C. K. Kim, and V. M. Rotello, Adv. Drug Deliv. Rev., 60, 1307 2008 48. T. Kong, J. Zeng, X. Wang, X. Yang, J. Yang, S. McQuarrie, A. McEwan, W. Roa, J. Chen, and J. Z. Xing, Small, 4, 1537 2008 49. R. Shukla, N. Chanda, A. Zambre, A. Upendran, K. Katti, R. R. Kulkarni, S. K. Nune, S. W. Casteel, C. J. Smith, J. Vimal, E. Boote, J. D. ...

Polymer Science and Technology Vol. 24, No. 3 일반총설 Vol. 24, No. 3 277 이승우 2009 서울대학교 환경재료과학전공 학사 2009-현재 서울대학교 환경재료과학전공 석박사통합과정 박사수료 박초희 2009 서울대학교 환경재료과학전공 학사 2009-현재 서울대학교 환경재료과학전공 석박사통합과정 박사수료 박지원 2008 서울대학교 환경재료과학전공 학사 2008-현재 서울대학교 환경재료과학전공 석박사통합과정 박사수료 임동혁 2003 서울대학교 환경재료과학전공 학사 2005 서울대학교 환경재료과학전공 석사 2009 서울대학교 환경재료과학전공 박사수료 2010-현재 ㈜테크피아 연구원 송준엽 2001 부산대학교 생산공학과 박사 2005-현재 과학기술연합대학원, 대학교 UST 겸임교수 2008-현재 지경부, 차세대 반도체 MCP사업 단장 1995-현재 한국기계연구원 실장 책임연구원 이재학 2002 �...

일반총설 | 3D 멀티칩 패키징용 Temporary Bonding & Debonding 접착소재 278 고분자 과학과 기술 Polymer Science and Technology 그림 1. TSV & Bump pitch 기술 로드맵 Zycube roadmap 그림 2. Via middle TSV 형성 주요 과정 모식도 EVG, Brewer Science 사 그림 4. Temporary bonding & debonding 장비 EVG, 850TB/DB 그림 3. Temporary bonding & debonding 과정 모식도 EVG, Brewer Science 사 로 백그라인딩 back-grinding 하고 패시베이션 passivation , 범핑 bumping , 디본딩 debonding 공정 등을 수행하게 된다 그림 2 여기서 웨이퍼는 약 50 ㎛ 이하의 두께로 얇아 지므로 TBDB 접착소재는 고온/고진공의 패시베이션 공정 시 초박형 웨이퍼의 깨짐 혹은 파손을 방지하기 위해 고온 내열성이 요구되며 세척 cleaning 공정 시 사용되는 용제 에 대해 내화학성을 가져야 한다. 물론 지금까지 다양한 접착기술이 연구개발 되어왔으며 상업적으로 ...

이승우ㆍ박초희ㆍ박지원ㆍ임동혁ㆍ김현중ㆍ송준엽ㆍ이재학 Vol. 24, No. 3 279 그림 7. PET 필름에 의한 두께 75 ㎛ 실리콘 웨이퍼 휨 warpage 테스트 서울대 접착과학 및 바이오복합재료 연구실 자료 그림 6. 웨이퍼 두께 로드맵 roadmap 삼성전자 그림 5. “via first” vs “via last” 모식도.16 그림 10. 이중경화형 UV/열 실리콘 변성 우레탄 접착제 합성 모식도.22 그림 8. UV 조사에 의한 광개시제의 개시반응 모식도.22 그림 9. UV 경화에 의한 다관능성 모노머의 가교 반응 모식도.22 는 via first 공정과 CMOS를 형성한 후 재배선을 하기 전에 실리콘 관통 전극을 형성하는 via middle 공정, 재배선 후에 맨 마지막으로 실리콘 관통 전극을 형성하는 via last 공정으 로 구분된다. Via first와 via middle의 경우 실리콘 관통 전 극이 형성된 후 접착을 하게 되는데 반하여 via last의 경우 접착 ...